通过采用最先进的沟槽栅工艺技术和完美的结构设计，杰盛微半导体的中低压 MOSFET实现了功率密度最大化。一方面大幅度降低电 流传导过程中的导通功率损耗 ；另一方面有效降低了栅极漏极间的电荷(Qgd)，从而在快速开关过程中降低开关功 率损耗。优异的 FOM表现完美支持快充电源产品同步整流设计。
 
关于我们
公司简介
组织架构
企业荣誉
专利证书
 
产品展示
集成电路
二极管
电容器
晶体管
电阻器
传感器
放大器
电路保护
半导体
传感器
测试和测量
热管理
工具和用品
电线电缆
应用领域
充电器/适配器
LED电源
家用电器
UPS逆变器
充电桩
快充电源
玩具
汽车电子
新闻资讯
集团新闻
行业资讯
媒体报道
联系我们
联系方式
客户留言
地图指引
 
 
关注我们
 
与我们联系
全国24小服务热线：
0755-82819922
公司传真：+86-755-82819922
邮箱：sales@tatogmc.com
地址：深圳市福田区深南大道佳和大厦A座1202-1203
Copyright © 2016-2019 台通电子股份有限公司   粤ICP备19004036号  技术支持：商诺时代